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SDP8476-201
低反射光电晶体管
图表 A. 低反射光电晶体管与标准光电晶体管
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
最小光电
流斜率
最大光电
流斜率
最小光电流
斜率标准
最大光电流
斜率标准
1.00
0.00
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
入射光源强度 - mW/cm
2
设计低反射光电晶体管：
在不同的入射光水平下测试低反射检测器，从而确定特定
的拐点和光电流斜率。这种方法确保光电晶体管具有标准
光电晶体管的功能，并确保所需的光电流输出。
光电流斜率的计算方法是，两个特定源辐射光电流输出的
变化除以两个源辐射的变化。
（公式 # 1）
I L Slope = [I L (@ H 1 ) - I L2 (@ H 2 )] / [H 1 – H 2 ]
其中：
? I L Slope 是光电流斜率，单位是 mA/mW/cm 2
? I L 是光电流输出，单位是 mA
? H 是入射光源强度，单位是 mW/cm 2
图表 A 显示了低反射光电晶体管光电流斜率的特定限制，
在达到拐点典型值 0.25 mW/cm 2 时，开始出现倾斜。为了
更加明确地区分此装置和标准的光电晶体管，图表中也
显示了高灵敏度和低灵敏度标准光电晶体管的光电流
斜率。请注意，对于具有相同增益的光电晶体管，其斜率
是平行的。
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
拐点，即 I L 增至 50 uA 所需的源辐射，是电路设计的必
要参数。拐点上的所有变化将被内部防护频带的光电流
斜率限制所抵消。电路设计的适当公式如下所示：
（公式 # 2）
I L = I L slope MIN. * (H A – H KP )
其中：
? I L 是光电流输出，单位是 mA
? I L slope MIN. 是光电流斜率的最小极限
（即 1.0 mA/mW/cm 2 ）
? H A 是针对应用的检测器中的入射光源
? H KP 是指在达到拐点典型值（即 0.125 mW/cm 2 ）
时，检测器中入射光源的特定水平
为 设 计 具 有 SEP8506-003 和 SDP8476-201 这 两 个 霍
尼韦尔标准组件的透射式传感器，首先必须确定检测器
中 入 射 光 的 辐 射 水 平 ， 单 位 是 mW/cm 2 。 应 用 条 件 如 下
所示：
145
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